SI4896DY-T1-E3中文资料
SI4896DY-T1-E3图片
- 大小：68.6KB
- 厂家：Vishay
- 描述： MOSFET, P, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.5A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):16.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:9.5A; Package / Case:SOIC-8; Power Dissipation Pd:1.56W; Voltage Vds Typ:80V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- 数据列表：SI4896DY
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：80V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.7A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：16.5 毫欧 @ 10A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：41nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：1.56W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOICN
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI4896DY-T1-E3TR
SI4896DY-T1-E3供应商
更新时间:2023-01-27 12:57:09- 供应商
- 产品型号
- 服务标识
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- 说明
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SI4896DY-T1-E3
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